CRTD210P04L2 相关话题

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2024-01-19

描摹： CRTD210P04L2-G是硅P沟谈增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽时代赢得，该时代镌汰了导通损耗，提升了开关性能并增强了雪崩能量。该器件适用于